(全球TMT2021年10月20日讯)SK海力士宣布业界首次成功开发现有最佳规格的HBM3 DRAM。 HBM3是第四代HBM(High Bandwidth Memory)技术,由多个垂直连接的DRAM芯片组合而成,是一种高价值产品,创新性地提高了数据处理速度。...
市调机构集邦科技指出,随着后续买方对DRAM的采购动能收敛,加上现货价格领跌所带动,第四季合约价反转机会大,预估将下跌3~8%,结束仅三个季度的上涨周期。而在买卖双方心理博弈之际,后续供给方的扩产策略,与需求端的成长力道,将成为影响2022年DRAM产业走势最关键的因素,预期20...
10月12日消息,三星宣布开始量产基于极紫外光(EUV)技术的14nmDRAM。继去年3月三星推出首款EUVDRAM后,又将EUV层数增加至5层,为其DDR5解决方案提供当下更为优质、先进的DRAM工艺。三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术主管JooyoungLee表示,“通过...
(全球TMT2021年10月12日讯)三星宣布已开始量产基于极紫外光(EUV)技术的14纳米(nm)DRAM。继去年3月三星推出首款EUV DRAM后,又将EUV层数增加至5层,为其DDR5解决方案提供当下更为优质、先进的DRAM工艺。 “通过开拓关键的图...
9月23日消息,据国外媒体报道,在今年8月份,研究机构就曾表示,由于供求状况发生了变化,加之供求双方存在较大的分歧,在三季度已经过了一半的情况下,供求双方仍未就三季度DRAM的合约价格达成一致。
本文将为大家呈现,如何利用SEMulator3D研究先进DRAM工艺中存在的AA形状扭曲和与之相关的微负载效应与制造变量。
由于供过于求,近几个季度DRAM价格大幅下跌。为了降低成本,并为内存所需要的新应用程序做好准备,DRAM制造商正在积极转向更新的工艺技术。尽管他们承认需要平衡DRAM的供需,但实际上他们为扩大生产能力制定了积极的计划,因为他们需要为即将到来的制造技术提供更干净的空间。
1α DRAM和176层NAND是下一代内存和存储产品的重要技术突破,行业内正在跟随这一技术路线进行产品创新升级。此前这两项新技术在发布之时也宣布了重要产品的量产发布,例如LPDDR5等。但在近日台北Computex展会同期,美光继续推进这两项创新技术的的下放和量产,推出了更多适用于更大终端市场的全新内存和存储产品,全面推进PC、数据中心和汽车等应用场景升级。
内存和存储解决方案领先供应商Micron Technology Inc.近日发布《快步前行:美光 2021 年可持续发展报告》,凸显美光在特殊时期不但体现出企业韧性,更在促进创新、人、社区和制造等方面取得长足进展。
应用材料公司今天宣布推出一系列材料工程解决方案,为存储客户提供三种全新进一步微缩DRAM的方法,并加速改善芯片性能、功率、面积、成本和上市时间(即:PPACt)。
近年来在DRAM的工艺节点上,美光一直处于先行者的位置。近期在第四代DRAM工艺制程的研发中,美光也率先实现了突破并开始量产1α DRAM产品。
Hynix 海力士芯片生产商,源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存,2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商,也在整个半导体公司中占第九位。2019年9月5日,SK海力士设在中国无锡的半导体工厂已经完全使用中国生产的氟化氢取代了日本产品。
随着微电子技术的迅猛发展,SRAM逐渐呈现出高集成度、快速及低功耗的发展趋势。近年来SRAM在改善系统性能、提高芯片可靠性、降低成本等方面都起到了积极的作用。
兆易创新2021年将向长鑫存储、长鑫存储(香港)采购DRAM产品额度为3亿美元(19亿人民币),与长鑫存储产品联合开发平台合作额度3,000万元人民币。
“我们对于未来充满了信心,因为在美光超过40年的历史当中,现在是史上首次,不管是在DRAM技术还是在NAND的技术上,我们同时实现了领先。”
进一步巩固了在 DRAM 和 NAND 领域的技术领先地位
美光进一步巩固了在DRAM和NAND领域的技术领先地位!
美光科技2020年推出的LPDDR5、GDDR6X、176层3D NAND引领了内存和存储的进化。展望未来,内存和存储的区别将越来越模糊,在2021年,将看到企业正在寻求新型解决方案,例如存储级内存和内存虚拟化,以进一步释放AI及激增的数据量带来的价值。
当大家同时面对DRAM、SDRAM以及DDR SDRAM时,大家能够很快的反应出来每一个都是什么吗?本文中,小编将对这些概念加以介绍。
为增进大家对DRAM的了解,本文将对DRAM工作原理以及DRAM和NAND之间的区别加以介绍。