Sep. 11, 2023 ---- 近日,三星(Samsung)为应对需求持续减弱,宣布9月起扩大减产幅度至50%,减产仍集中在128层以下制程为主,据TrendForce集邦咨询调查,其他供应商预计也将跟进扩大第四季减产幅度,目的加速库存去化速度,预估第四季NAND Flash均价有望因此持平或小幅上涨,涨幅预估约0~5%。
(全球TMT2023年9月1日讯)2023年9月1日,三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术,开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM(DDR5 DRAM:五代双倍数据率同步动态随机存储器)。这是继2023年5月三星开始量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM之后取得的...
在相同封装尺寸下,容量是16Gb内存模组的两倍,功耗降低10%,且无需硅通孔(TSV)工艺即可生产128GB内存模组 此次新品为实现高达1TB容量的内存模组奠定了基础 随着12纳米级内存产品阵容的扩展,三星将持续为AI,下一代计算等多行业的各种应用提供支持 深圳2023年...
Aug. 30, 2023 ---- TrendForce集邦咨询表示,预期2024年存储器原厂对于DRAM与NAND Flash的减产策略仍将延续,尤其以亏损严重的NAND Flash更为明确。预估在2024上半年消费性电子市场需求能见度仍不明朗,通用型服务器的资本支出仍受到AI服务器排挤而显得相对需求疲弱,有鉴于2023年基期已低,加上部分存储器产品价格已来到相对低点,预估DRAM及NAND Flash需求位元年成长率分别有13.0%及16.0%。不过,尽管需求位元有回升,明年若要有效去化库存,并回到供需平衡状态,重点还是仰赖供应商对于产能有所节制,若供应商产能控制得宜,存储器均价则有机会反弹。
Aug. 24, 2023 ---- 根据TrendForce集邦咨询研究显示,受惠于AI服务器需求攀升,带动HBM出货成长,加上客户端DDR5的备货潮,使得三大原厂出货量均有成长,第二季DRAM产业营收约114.3亿美元,环比增长20.4%,终结连续三个季度的跌势。其中,SK海力士(SK hynix)出货量环比增长超过35%,且平均销售单价(ASP)较高的DDR5、HBM出货占比显著增长,带动SK海力士ASP逆势成长7~9%,推升SK海力士第二季营收环比增长近5成,成长幅度居冠,达34.4亿美元,回归第二名。
DRAM(动态随机存储器)市场是一个具有规模经济效应的行业,其在数据中心、智能手机、物联网、车联网等各行业的发展也受到关注。
三星在去年12月发布了全球首款传输速率高达7.2Gbps的12nm级DDR5 DRAM内存芯片,今天,三星正式宣布已大规模量产12nmDDR5DRAM芯片。
即动态随机存取存储器,它和 SRAM(静态随机存取存储器)一样都是常见的系统内存,也就是说我们个人电脑里的内存条通常都是DRAM。
DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)是一种具有高带宽、低延迟和低功耗的半导体存储设备。它利用静电场来存储数据。
SDRAM 英文全称“Synchronous Dynamic Random Access Memory”,译为“同步动态随机存取内存”或“同步动态随机存储器”,是动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory,简称 DRAM)家族的一份子。
SRAM : 静态RAM,不用刷新,速度可以非常快,像CPU内部的cache,都是静态RAM,缺点是一个内存单元需要的晶体管数量多,因而价格昂贵,容量不大。
Jul. 4, 2023 ---- 据TrendForce集邦咨询最新研究指出,受惠于DRAM供应商陆续启动减产,整体DRAM供给位元逐季减少,加上季节性需求支撑,减轻供应商库存压力,预期第三季DRAM均价跌幅将会收敛至0~5%。不过,目前供应商全年库存应仍处高水位,今年DRAM均价欲落底翻扬的压力仍大,尽管供给端的减产有助季跌幅的收敛,然实际止跌反弹的时间恐需等到2024年。
Crucial® 英睿达™ T700 第五代 SSD 利用美光® 232 层 NAND 更大限度地提高性能和可靠性,而 Crucial 英睿达 Pro DRAM 则同时支持 Intel® XMP 和 AMD EXPO® ,配备散热器实现开箱即用的卓越性能
May 25, 2023 ---- 据TrendForce集邦咨询研究显示,今年第一季DRAM产业营收约96.6亿美元,环比下降21.2%,已续跌三个季度。出货量方面仅美光有上升,其余均衰退;平均销售单价三大原厂均下跌。目前因供过于求尚未改善,价格依旧续跌,然而在原厂陆续减产后,DRAM下半年价格跌幅将有望逐季收敛。展望第二季,虽出货量增加,但因价格跌幅仍深,预期营收成长幅度有限。
21ic 近日获悉,三星电子表示已经开始批量生产采用 12nm 级工艺节点制造的双倍数据速率 5(DDR5) DRAM,去年年底的时候该公司宣布开发 16Gb DDR5 DRAM,通过量产先进的 12nm DDR5 DRAM 印证了其在存储芯片中的主导地位。
据业内信息,美光在日本政府的援助下向其位于广岛的 DRAM 工厂投资了 37 亿美元,该公司计划在广岛工厂安装 EUV 设备来升级工艺,进而使广岛工厂能够制造美光最新一代 DRAM(1-gamma),这将是日本首次使用 EUV 设备。
2023 年 5 月 11 日,中国西安 —— 内存与存储解决方案领先供应商Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)今日宣布委派吴明霞(Betty Wu)女士担任美光中国区总经理, 并继续兼任 DRAM 封装与测试运营企业副总裁。
May 9, 2023 ---- 据TrendForce集邦咨询最新研究显示,由于DRAM及NAND Flash供应商减产不及需求走弱速度,部分产品第二季均价季跌幅有扩大趋势,DRAM扩大至13~18%,NAND Flash则扩大至8~13%。
Apr. 24, 2023 ---- 服务器新平台Intel Sapphire Rapids与AMD Genoa机种量产在即,但近期市场上传出Server DDR5 RDIMM的PMIC匹配性问题,目前DRAM原厂与PMIC厂商均已着手处理。TrendForce集邦咨询认为,该情况将产生两种影响,首先,由于仅MPS(芯源系统)供应的PMIC无状况,DRAM原厂短期内将同步提升对芯源的采购比重。其次,目前原厂DDR5 Server DRAM生产仍停留在旧制程,短期内供给量难免受此事件影响,故预估第二季DDR5 Server DRAM价格跌幅将收敛,由原预估15-20%收敛至13-18%。
Mar. 28, 2023 ---- TrendForce集邦咨询表示,由于部分供应商如美光(Micron)、SK海力士(SK hynix)已经启动DRAM减产,相较第一季DRAM均价跌幅近20%,预估第二季跌幅会收敛至10~15%。不过,由于2023下半年需求复苏状况仍不明确,DRAM均价下行周期尚不见终止,在目前原厂库存水位仍高的情况下,除非有更大规模的减产发生,后续合约价才有可能反转。