如何评估IGBT模块的损耗与结温?英飞凌官网在线仿真工具IPOSIM,是IGBT模块在选型阶段的重要参考。这篇文章将针对IPOSIM仿真中的散热器热阻参数Rthha,给大家做一些清晰和深入的解析。
英飞凌科技股份公司推出的全新MEMS*扫描仪解决方案,由MEMS镜片和MEMS驱动器组成,可助力实现全新的产品设计。
【2021年8月12日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司和罗伯特·博世有限公司推出了一款用于轻型汽车发电机的新型超低损耗二极管—有源整流二极管。
近日,英飞凌科技股份有限公司推出 650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT 单管产品组合,具有650 V阻断电压。
近日,英飞凌科技股份公司将EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模块升级为新型氮化铝(AIN) 陶瓷。
当前,发展绿色经济,降低碳排放,已成为全球共识。在国家“30·60”碳达峰、碳中和的目标愿景下,改变以化石能源为主的能源结构,促进能源体系向清洁低碳转型,是大势所趋和必经之路。
【2021年8月4日,德国慕尼黑和美国加利福尼亚州圣何塞讯】电动汽车时代正在加速到来。当今生产的每七辆汽车中就有一辆是电动汽车。
【2021年8月3日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司推出业界首款支持USB Power Delivery(USB PD)3.1的高压微控制器(MCU)。
近期,一份由ABI Research*发表的研究报告预测,在乐观的条件下,全球生物识别支付卡市场在2025年将达到3.53 亿张。
航天级可编程逻辑器件(FPGA)需要包含其引导配置的可靠的高容量非易失性存储器。
众所周知,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体,相较传统的硅材料半导体,具备许多非常优异的特性,如高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率以及抗强辐射能力等。
近日,英飞凌科技股份公司推出了全新分立式封装的650 V TRENCHSTOP 5 WR6系列。