4月29日消息,美国对中国的封锁进一步加剧,甚至不想让ASML为已经卖给中国的光刻机提供售后维护服务,不过在ASML看来,这么做影响并不大,至少基本不会影响其收入。
2月17日消息,ASML已经向Intel交付第一台高NA EUV极紫外光刻机,将用于2nm工艺以下芯片的制造,台积电、三星未来也会陆续接收,可直达1nm工艺左右。
9月7日消息,ASML宣布,将在今年底发货第一台支持高NA(数值孔径)的EUV极紫外光刻机,型号“Twinscan EXE:5000”。
作为半导体制造中的核心装备之一,光刻机至关重要,7nm以下工艺所需的EUV光刻机只有ASML公司能生产,售价达到10亿以上,不过今年EUV的势头熄火了,DUV光刻机需求反而暴涨。
光刻机巨头阿斯麦(ASML)在官网公布了2023年二季度的营收数据,由于DUV光刻机收入增加,该季度营收为69亿欧元,超出市场预期(66.9亿欧元),净利润19亿欧元,毛利率为51.3%;第二季度订单额45亿欧元,同样超出市场预期(39.8亿欧元),其中EUV光刻机订单价值16亿欧元。
7月13日消息,《欧洲芯片法案》的结果已经出炉,高达近500亿元的补贴将启动,为的是打造自主半导体产业链。
日前有报道称,ASML将面向中国市场推出特别版DUV光刻机,不过此事已经辟谣,ASML表示一直以来ASML都遵守所适用的法律条例,公司并没有面向中国市场推出特别版的光刻机。
近日,ASML在其官网发表声明称,该公司未来出口其先进的浸润式DUV光刻系统(即TWINSCAN NXT:2000i及后续浸润式系统)时,将需要向荷兰政府申请出口许可证。
据业内消息,近日荷兰半导体设备巨头 ASML 和比利时微电子研究中心(IMEC)宣布双方将在开发最先进高数值孔径(High-NA)极紫外(EUV)光刻试验线的下一阶段加强合作,为使用半导体技术的行业提供原型设计平台和未开发的未来机遇。
比利时微电子研究中心 (IMEC) 、阿斯麦 (ASML) 共同宣布,双方将在开发先进高数值孔径(High-NA)极紫外(EUV)光刻试验线的下一阶段加强合作。
Imec和日本政府支持的以2nm工艺为目标的半导体初创公司Rapidus本月早些时候在东京举行的签字仪式上同意了一项技术合作。
该路线图包括突破性的晶体管设计,从将持续到3纳米的标准FinFET晶体管,到2纳米和A7(7埃)的新的门控全方位(GAA)纳米片和叉片设计,然后是A5和A2的CFET和原子通道等突破性设计。需要提醒的是,10个埃等于1纳米,因此Imec的路线图包括了次 "1纳米 "工艺节点。
近日,在比利时安特卫普举办的未来峰会上,IMEC(微电子研究中心)发布报告,探讨了直至2036年左右的半导体工艺、技术路线图。
3月22日消息,比利时微电子研究中心(imec)氮化镓电力电子研究计划主持人Stefann Decoutere探讨在200V GaN-on-SOI智能功率芯片(IC)平台上,整合高性能肖特基二极管与空乏型高电子迁移率晶体管(HEMT)的成功案例。该平台以P型氮化镓(GaN)HEMT制成,此次研发成功整合多个GaN元件,将能协助新一代芯片扩充功能与升级性能,推进GaN功率IC的全新发展。同时提供DC/DC转换器与负载点(POL)转换器所需的开发动能,进一步缩小元件尺寸与提高运作效率。
现在高性能的处理器越来越复杂,工艺也先进,但在物联网领域,有些芯片需要更低的功耗,IMEC比利时微电子中心今天宣布联合多家合作伙伴造出了0.8um的IGZO铟镓锌氧化物晶体管技术的8位处理器,功耗可低至0.01W。与硅基CMOS工艺的芯片相比,薄膜晶体管技术的芯片具有独特的优势,包括低成本、轻薄、柔性、可弯曲等等,更适合物联网领域,比如RFID射频标签、健康传感器等等,还可以作为显示器的驱动芯片。
当前,量产的晶体管已经进入4nm尺度,3nm研发也已经冻结进入试产。半导体行业大脑imec(比利时微电子研究中心)公布了未来十年的技术蓝图。据悉,2025年后,晶体管微缩化进入埃米尺度(Å,angstrom,1埃 = 0.1纳米)
在2020年国际互连技术大会上,imec首次展示了采用钌金属(Ru),具备电气功能的双金属层级结构(2-metal-level)互连技术。该金属是使用特殊的半镶嵌和气沟(Air Gap)技术生产,具有更好的使用寿命和更佳的物理强度(mechanical strength)。
高盛6月底最新发布的分析报告显示,全球运营商正在加速采用TD-LTE技术,在亚洲,到2013年TD-LTE将覆盖中国、印度和日本的27亿人口,这些市场的巨大潜力会进一步
什么是IMEC 对晶圆级封装?它有什么作用?IMEC提出了一种可满足更高密度,更高带宽的芯片到芯片连接需求的扇形晶圆级封装的新方法。IMEC的高级研发工程师Arnita Podpod和IMEC Fellow及3D系统集成计划的项目总监Eric Beyne介绍了该技术,讨论了主要的挑战和价值,并列出了潜在的应用。
随着三星宣布7nm EUV工艺的量产,2018年EUV光刻工艺终于商业化了,这是EUV工艺研发三十年来的一个里程碑。不过EUV工艺要想大规模量产还有很多技术挑战,目前的光源功率以及晶圆产能输出还没有达