近期,长江存储和中科院微电子研究所联合承担的3D NAND Flash存储器研发项目取得新进展,向产业化道路迈出关键一步。业内人士表示,国内厂商积极开展存储芯片相关研发和产业化工作,并取得了阶段性进展。政策支持之下,随着技术等逐渐成熟,行业发展将迎来拐点。在此背景下,上市公司纷纷发力拓展存储芯片业务。
在大数据需求驱动下,存储器芯片已是电子信息领域占据市场份额最大的集成电路产品。我国在存储器芯片领域长期面临市场需求大而自主知识产权和关键技术缺乏的困境,开展大容量存储技术的研究和相关产品研制迫在眉睫。传统平面型NAND存储器在降低成本的同时面临单元间串扰加剧和单字位成本增加等技术瓶颈。寻求存储技术阶跃性的突破和创新,是发展下一代存储器的主流思路。
近日,总投资300亿人民币的紫光南京半导体产业基地和总投资300亿人民币的子港国际城项目正式开工。这是紫光集团继长江存储项目之后的另一个大“动作”。据报道,紫光南京半导体产业基地项目由紫光集团投资建设,主要产品为3D-NAND Flash、DRAM存储芯片,占地面积为1500亩。其中项目一期投资约100亿美元,月产芯片10万片。
今日,由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资240亿美元建设的国家存储器基地项目正式动工,预计 2018年建成投产,2020年完成整个项目,初期计划以先进的3D NAND为策略产品。
对于中国发展存储器产业,业界目前最为关注的仍是专利技术的获取。相信,在紫光集团与武汉新芯携手之后,将加大新公司与技术授权来源美光的谈判优势,一定程度上有望加速获得如美光的第三方技术授权。