8月份,格芯宣布将搁置7纳米 FinFET项目,并调整相应研发团队来支持强化的产品组合方案。同时,格芯为了更好地施展格芯在ASIC设计和IP方面的强大背景和重大投资,将建立独立于晶圆代工业务外的ASIC业务全资子公司。
日前,格芯与成都合作伙伴签署了投资合作协议修正案。基于市场条件变化、格芯于近期宣布的重新专注于差异化解决方案,以及与潜在客户的商议,将取消对成熟工艺技术(180nm/130nm)的原项目一期投资。同时,将修订项目时间表,以更好地调整产能,满足基于中国的对差异化产品的需求包括格芯业界领先的22FDX技术。
成都股东方认为,“此次格芯成都项目的调整变化为合作双方留出充分时间进行评估,以更准确地掌握中国市场需求,为未来新的产能规划和项目实质性启动做好前期准备”。
格芯今天宣布在其不断增长的RFwave合作伙伴计划中增加九位新的合作伙伴,包括Akronic、Ask Radio、Catena、滑铁卢大学智能天线和无线电系统中心(CIARS)、全智科技、Helic、Incize、Mentor Graphics和芯禾科技。这些新的合作伙伴将提供独特的毫米波测试和表征功能,以及设计服务、IP和EDA解决方案,将使格芯客户能够在跨物联网(IoT)、移动、射频连接和网络市场的应用中快速实现射频设计。
国内EDA软件、集成无源器件IPD和系统级封装领域的领先供应商,芯禾科技与全球领先半导体代工厂格芯于近日宣布,芯禾科技正式加入格芯RFwaveTM合作伙伴项目。
格芯近日在其年度全球技术大会(GTC)上宣布计划在其14/12nm FinFET产品中引入全套新技术,这是公司加强差异化投资的全新侧重点之一。新工艺技术旨在为快速增长市场(如超大规模数据中心和自动驾驶汽车)应用提供更好的可扩展性和性能。
格芯近日在其年度全球技术大会(GTC)上宣布,针对移动应用优化的8SW 300mm RF SOI技术平台已通过认证并投入量产。这项RF SOI工艺引起了多位客户的关注和兴趣,它专为满足前端模块(FEM)应用更高的LTE和6 GHz以下标准要求量身定制,包括5G IoT、移动设备和无线通信。
8月底,全球第二大晶圆代工厂格芯(Globalfoundries,“GF”)宣布退出7纳米及以下先进制程的研发与投资,这是继联电之后,第二家宣布放弃10纳米以下制程的半导体公司。虽然放弃7纳米及以下先进制程的研发令人有些惋惜,不过格芯倒是显得稳重、平和。日前举行的GTC大会,格芯还是强调先进制程不是市场唯一方向,当前旗下22纳米FD-SOI制程,以及14/12纳米FinFET制程依然大有市场。
格芯退出7纳米制程研发,受影响的客户主要是AMD及IBM。AMD随即宣布将7纳米制程的Zen2 CPU,以及7纳米制程的Vega/Navi GPU全部交给台积电代工,IBM方面还没有宣布最后决定。IBM下一代Power 10处理器问世还早,还有时间选择新代工厂。对格芯来说,放弃7纳米及以后的5纳米、3纳米等烧钱无止境的制程,转向更有利润的市场,外界普遍认为也是好选择。
尽管UMC(联电)和Globalfoundries(格芯)先后宣布放弃7nm制程及更先进工艺的研发,但ASML依然对EUV光刻机的前景表示乐观。
在GF退出7nm及更先进工艺研发之后,AMD宣布将CPU及GPU全面转向TSMC公司,表示自家产品路线图不受影响。AMD当然不是这件事最大的受害者,IBM才是,GF之前收购了IBM的晶圆厂并为IBM代工Power系列处理器,这事之后IBM也要寻找新的代工厂了。
格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布其转型的重要一步,继今年初汤姆·嘉菲尔德(Tom Caulfield)接任首席执行官后,格芯正在重塑其技术组合,依照嘉菲尔德所阐述的战略方向,重点关注为高增长市场中的客户提供真正的差异化产品。
根据外媒报导,晶圆代工大厂格芯(Globalfoundries)技术长Gary Patton日前表示,格芯将在2018年底推出7纳米制程,并且将于2019年大规模量产。Gary Patton指出,格芯的7纳米制程将是自行开发,高性能处理器频率将可因此达到5GHz以上,与竞争对手英特尔(intel)的产品在频率上达到同一水准。
联发科已经确定采用格芯14纳米制程,并有望于今年第3季量产出货。
去年传出联发科为降低投片成本、抢救逐渐下滑的毛利率,可能缩减对台积电的订单,将部分订单转向转给台积电的竞争对手美商格芯(GlobalFoundries) 生产。现又再度传出,联发科已经确定采用格芯14纳米制程,并有望于今年第3季量产出货。
深迪半导体6轴IMU芯片SH200Q以及支持光学防抖OIS功能的SH200L于2017年10月正式进入量产。6轴IMU芯片不仅对MEMS,ASIC设计研发带来巨大挑战,对MEMS工艺制成也提出很高的要求,深迪半导体6轴IMU芯片的大规模量产得益于格芯的先进工艺,助力其广泛推进各类市场。
格芯近日宣布,其22nm FD-SOI (22FDX®)技术的客户端设计中标收入已逾20亿美元。凭借在50多项客户端设计中的应用,22FDX无疑已经成为业界领先的低功耗芯片平台,可适用于各种发展迅速的应用,如汽车、5G 连接和物联网(IoT)等。
格芯于今日宣布,Socionext Inc.将要制造第3代,也是最新一代的图形显示控制器SC1701,它采用了配备嵌入式非易失性存储器(SuperFlash®)的格芯55nm低功率扩展(55LPx)工艺技术。
格芯于今日宣布,Socionext Inc.将要制造第3代,也是最新一代的图形显示控制器SC1701,它采用了配备嵌入式非易失性存储器(SuperFlash®)的格芯55nm低功率扩展(55LPx)工艺技术
加利福尼亚州圣克拉拉,2018年5月23日——格芯今日宣布,其22nm FD-SOI (22FDX®)技术平台已通过AEC-Q100(2级)认证,准备投入量产。作为业内符合汽车标准的先进FD-SOI工艺技术,格芯的22FDX平台融合全面的技术和设计实现能力,旨在提高汽车集成电路(IC)的性能和能效,同时仍然遵循严格的汽车安全和质量标准。