图中RC串并联网络接在运放的输出端和同相输入端之间,构成正反馈。R1和RP接在运放的输出端和反向输入端之间,构成负反馈。这种电路也称为文氏电桥电路。 其中下反馈是振荡的必要条件之一,负反馈是用来限制输出电压的
图一所示是NPN三极管的 共射极电路,图二所示是它的特性曲线图,图中它有3 种工作区域:截止区(Cutoff Region)、线性区 (Active Region) 、饱和区(Saturation Region)。三极管是以B 极电流IB 作为输入,操控整个三极
一张电路图通常有几十乃至几百个元器件,它们的连线纵横交叉,形式变化多端,初学者往往不知道该从什么地方开始,怎样才能读懂它。其实电子电路本身有很强的规律性,不管多复杂的电路,经过分析可以发现,它是由少数
两个555振荡器或定时器都可以配置成音频振荡器,分别用于单独的扬声器。一个双100kQ电位计用于同时调谐这两个振荡器。振荡器的频率范围受一个平行晶体管开关控制,这个开关为振荡器选择定时电容。虽然这个电路只给出
双向晶闸管触发电路工作原理图调压器电路主要由阻容移相电路和双向晶闸管两部分组成。单独画出这两部分电路(上图),R5、RP和C5构成阻容移相电路。合上电源开关S,交流电 源电压通过R5、RP向电容器C5充电,当电容器C
三相半控桥式整流触发电路图80年代制造的塑料挤出机,其主回路为三相380V电源经整流变压器B (380V/190V,32kV•A)和三相半控桥式整流电路整流后驱动直流电动机D (Z2—72,它激220V/22kW) 。三相半控桥的原
触发电路判断可控硅好坏的方法双向可控硅用途较广,但其电气特性较特殊,用万用表有时很难准确测量出其好坏,现用一个简单的触发电路,通过灯泡的亮灭可准确判断出可控硅的好坏。 方法说明:1、如图,第1脚是T1脚,第
可控硅工作原理图及应用图解可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整流,还可以用作无触点开关的快速接通或切断;实现将直流
这个话题的起因,是神八兄送了我几个大电流IGBT模块,有150A的,也有300A的,据说功率分别可以做到10KW和20KW以上,也是挡不住的诱惑,决定来试一试。但首先必须做一块能驱动这些大家伙的驱动电路板。经和神八兄多次
两单元IGBT模块的寄生电感电路
我们家里用的220V的电为单相电,即只有一根火线。在工业的动力电路上很多情况下使用三相电,即有三根火线。每根火线对地有220V的电压,每两根火线之间有380V的电压,因此绝对不能将任何两根火线连接!下图为三相电的
一张电路图通常有几十乃至几百个元器件,它们的连线纵横交叉,形式变化多端,初学者往往不知道该从什么地方开始,怎样才能读懂它。其实电子电路本身有很强的规律性,不管多复杂的电路,经过分析可以发现,它是由少数
本文通过等效电路分析,通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用,并精简的指出了IGBT的特点。可以说,IGBT是一个非通即断的开关,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是
单管模块的内部由若干个IGBT并联,以达到所需要的电流规格,可以视为大电流规格的IGBT单管。受机械强度和热阻的限制,IGBT的管芯面积不能做得太大,大电流规格的IGBT需要将多个管芯装配到一块金属基板上。单管模块外部标签上的等效电路如图1所示,副发射极(第二发射极)连接到栅极驱动电路,主发射极连接到主电路中。
一、 桥式整流电路1、二极管的单向导电性: 2、桥式整流电流流向过程:输入输出波形3、计算:Vo, Io,二极管反向电压。二、电源滤波器 1、电源滤波的过程分析:波形形成过程:2、计算:滤波电容的容量和耐压值选择