功率器件-技术专栏

原创
重新构想未来的车辆的讨论，第三部分

是什么让我们暂时坚持使用电池?据我了解，这有两个组成部分。正如我们刚刚描述的那样，一个是监控电池，另一个是管理它。我所知道的是，电池通常实际上是一个电池组中的多个电池。管理需要弄清楚如何在电池组内的不同电池之间分配消耗和负载。总是这样吗?当我们从一种电池类型切换到另一种电池类型时会出现这种情况吗?回答这个问题，然后我会问你一点监控和管理技术本身，芯片本身。

电源
2022-09-29

电气化电动汽车
原创
重新构想未来的车辆的讨论，第二部分

我们都在进行讨论，试图弄清楚我们在电动汽车变得比内燃机汽车更高效和更具成本效益方面处于什么位置。你对我们在这条曲线上的位置有任何见解吗?

电源
2022-09-29

电气化电动汽车
原创
重新构想未来的车辆的讨论，第一部分

电气化使汽车制造商有机会完全重新想象汽车是什么，以及它可以是什么。与德州仪器 (TI) 全球汽车系统总监 Ryan Manack 探讨汽车电气化道路上的新趋势和挑战的对话。

电源
2022-09-29

电气化电动汽车
原创
GaN FET：发烧友的首选技术

从智能设备充电器等低功率、低成本应用一直到高功率汽车应用，氮化镓 FET 正成为许多产品的广泛首选。大多数情况下，设计人员对 GaN 提供的更高的效率和功率密度印象深刻，这导致器件具有比硅同类产品更大的功率能力。然而，高端音频放大器现在也越来越多地转向 GaN 技术，因为 GaN FET 的平滑开关特性导致注入放大器的可听噪声更少。

电源
2022-09-28

GaN 功率器件
原创
栅极驱动器的重要性，第二部分

为了最大限度地减少开关阶段的功耗，必须尽快对栅极电容器进行充电和放电。市场提供了特殊的电路来最小化这个过渡期。如果驱动器可以提供更高的栅极电流，则功率损耗会降低，因为功率瞬态的峰值会更短。一般来说，栅极驱动器执行以下任务：

电源
2022-09-21

栅极驱动器 MOSFET
原创
栅极驱动器的重要性，第一部分

碳化硅和氮化镓开关器件是所有电源电路中主要使用的元件。尽管它们在运行速度、高电压、处理电流和低功耗等固有特性方面取得了优异的成绩，但设计人员将所有注意力都集中在此类设备上，而常常忘记将自己的精力投入到相关的驱动器上。

电源
2022-09-21

碳化硅氮化镓
原创
ST，TI等公司最新发布的功率器件介绍

凭借其最新创新，意法半导体是全球半导体领导者，为各种电子应用领域的客户提供服务，正在推动个人计算的可持续性。新的 ST-ONE 芯片旨在提高各种完全符合 USB-PD 3.1 标准的 AC-DC 适配器的能效，包括笔记本电脑和智能手机充电器。新的 ST-ONE 适配器有助于减少CO 2排放和塑料消耗量。

电源
2022-09-21

ST
原创
英飞凌发布新型 CoolSiC MOSFET，Diodes的大电流肖特基整流器

CoolSiC MOSFET 1200 V M1H 是英飞凌科技股份公司的一项全新 CoolSiC 技术。复杂的碳化硅 (SiC)芯片将在广泛的产品中实现，包括使用 .XT 互连技术的分立封装和流行的 Easy 模块系列。

电源
2022-09-21

CoolSiC MOSFET 大电流肖特基整流器
原创
Nexperia最新发布的产品和Wise-integration 的GaN产品

Nexperia 是基本半导体领域的专家，最近宣布其最新产品添加到越来越多的分立器件中，该器件采用具有侧面可湿性侧面 (SWF) 的无引线 DFN 封装。这些节省空间且坚固耐用的组件有助于满足智能和电动汽车中下一代应用的需求

电源
2022-09-21

Nexperia GaN
原创
新型数字电流传感器提高了恶劣环境中的可靠性，第一部分

电流传感器在许多电子应用中发挥着重要作用，可让您提高应用效率并监控电流以避免可能出现的故障或故障。多年来电流传感器所经历的技术发展导致了集成电流传感器的诞生，此外还提供了高水平的精度和可靠性，这些传感器采用标准封装，占地面积非常小。最新一代的传感器具有高压隔离特性、高度的外部电磁场抗扰度和卓越的精度，使其成为测量工业、汽车、智能仪表、光伏、DC-DC 转换器和逆变器中的 AC 和 DC 电流的理想解决方案.

电源
2022-09-20

电流传感器 LEM 的新型数字电流传感器
原创
新型数字电流传感器提高了恶劣环境中的可靠性，第二部分

随着人民的生活水平日益的提高，汽车应用的普及，使得汽车尾气污染越来越严重，尤其是首都北京，天津，河北，重度污染天气已经超过全年的一半，严重影响了人们的健康，国家领导也相应的采取措施，其中电动汽车的支持就是一项，电动汽车也很受老百姓喜欢，电动汽车的电源启动系统中电流传感器起到很大的作用。

电源
2022-09-20

电流传感器 LEM 的新型数字电流传感器
原创
抗辐射功率器件：第 2 部分 WBG 器件和封装选项

在关于抗辐射功率器件的第 2 部分中，我们将探讨 WBG 半导体在该领域的一些优势，特别是 SiC MOSFET 和 GaN HEMT。还将总结一些包括低成本塑料产品的包装选择。

电源
2022-09-20

SiC MOSFET GaN HEMT
原创
抗辐射分立功率器件：第 1 部分 — Si MOSFET

用于 5G、物联网和其他各种用途的商业天基通信出现了巨大的增长，Starlink 和 OneWeb 等星座的推出就是明证。这补充了军事和科学卫星的使用，后者也出现了大幅增长。这些应用所需的半导体功率器件，例如卫星总线电压到终端应用的DC/DC 转换，与地面商业或汽车对应器件相比，需要满足某些独特的可靠性标准，因为它们存在于敌对环境中。环境。这既意味着可预测的辐射暴露——例如来自地球周围的范艾伦带——也意味着不可预测的事件，例如太阳耀斑。

电源
2022-09-20

Si MOSFET 抗辐射
原创
GaN半桥电源集成电路最大限度地提高性能，降低成本

氮化镓是一种具有较大带隙的下一代半导体技术，已成为精密电力电子学发展的关键。它比硅快20×，可以提供高达3×的功率或充电，其尺寸和重量是硅器件的一半。

电源
2022-09-16

氮化镓功率器件
原创
GaN HEMT：一些器件特性和应用权衡，第二部分

在电机驱动应用中，功率器件需要承受过载或故障条件，这些条件会造成器件处于高电压和高电流导通状态且器件处于饱和状态。高温会导致灾难性的破坏。功率器件及其栅极驱动器需要协同工作才能关闭器件，之前将 1us 视为正常响应时间。几项关于 GaN HEMT 的研究报告了更短的 SCWT 时间，这被认为是来自高电流密度，尤其是在低 Rdson 器件中。随着 Vds 升高，SCWT 急剧下降，许多研究表明 Vds ≥ 400V 时小于 500ns。

电源
2022-09-14

GaN HEMT 功率器件