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EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET
EPC推出采用紧凑型QFN封装(3 mm x 5 mm)的100 V、1 mOhm GaN FET(EPC2361)，助力DC/DC转换、快充、电机驱动和太阳能 MPPT等应用实现更高的功率密度。
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TI升级版在线电源设计工具，帮助电源设计师加速产品上市
你的团队中可能没有电源设计专家或布局专家，这让你感到压力重重。
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选择合适功放来缓解LTE设备电量饥渴
目前，现代智能手机和高吞吐量4G网络的功能与设计已远超好几年前。然而，实现出色的移动宽带体验并不是一件容易的事。今天的智能手机必须包含大量的功能，包括高清晰屏幕、
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Microchip将MCU与模拟电源管理集成
近日，Microchip宣布推出业界首款集成MCU的基于模拟的电源控制管理器MCP19111，该产品可以利用数字信号控制DC/DC转换，可在4.5V至32V的宽电压范围内工作。 为什么需要MC
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汽车级N沟道MOSFET SQJQ480E
功率 MOSFET 是众多汽车子系统的重要组成部分，其能够帮助实现各种各样的功能，包括负载切换、电机控制以及DC/DC转换等。SQJQ480E 的意义在于它可以处理与更大功率的MOSFET相同的功能。实际上，其 PowerPAK 8x8L 封装比其通常取代的 D2PAK MOSFET 小58%。然而，SQJQ480E 可以同样高效地处理相同的功率转换、开关和电机控制任务，实测器件导通电阻(3毫欧): 也就是在 AEC-Q101车用 MOSFET 中取得迄今为止最低的导通损耗。
