对于温度参数,比较典型的就是三极管的导通电压Ube,Ube会随着环境温度的升高而降低,硅三极管的Ube室温下约为0.7V。资料显示,硅三极管发射结正向压降的变化量是每增加1℃,Ube就降低2.5mV。我经常看到下面这个电路,并联一个二极管来降低三极管的受温度的影响,当Vbe下降或上升时,二极管VD1会有同样的温度特性,这样基级偏置电流Ib变化就很小了。
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