此次合作将利用双方的协同优势进一步提升碳化硅(SiC)技术
尽管宽禁带器件近年来已经开始进入商业市场,但其封装设计尚未成熟,尤其是在高温高压应用方面。在本文中,将介绍为此目的而制造的 5 kV 双面冷却 GaN 功率模块(作为由高级研究计划署 - 能源资助的研究的一部分)。
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