集邦：DRAM明年供过于求，恐进入跌价周期

时间：2021-10-14 17:16:46

关键字： DRAM

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[导读]市调机构集邦科技指出，随着后续买方对DRAM的采购动能收敛，加上现货价格领跌所带动，第四季合约价反转机会大，预估将下跌3～8％，结束仅三个季度的上涨周期。而在买卖双方心理博弈之际，后续供给方的扩产策略，与需求端的成长力道，将成为影响2022年DRAM产业走势最关键的因素，预期20...

市调机构集邦科技指出，随着后续买方对DRAM的采购动能收敛，加上现货价格领跌所带动，第四季合约价反转机会大，预估将下跌3～8％，结束仅三个季度的上涨周期。而在买卖双方心理博弈之际，后续供给方的扩产策略，与需求端的成长力道，将成为影响2022年DRAM产业走势最关键的因素，预期2022年全年的DRAM平均销售单价（ASP）恐较今年衰退约15～20％。

照目前进度看来，包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM厂2022年扩产规划其实仍显保守，预估明年的供给位元成长率约17.9％，然而由于目前买方库存水位已偏高，加上2022年需求位元成长率仅16.3％，低于供给端的成长速度，集邦预期2022年DRAM产业将由供不应求转为供过于求。
由供给面来看，三星主要投片增幅落在仍有较大空间的P2L厂区，投片规模将有持续上修的可能。尽管目前增幅不大，主要靠先进制程的挹注，但仍将带动三星明年供给位元成长率达19.6％。SK海力士最新的M16厂在今年加入生产后，明年总产能将持续扩大，并配合市场状况动态做调整，配合1y纳米及1z纳米制程提升，明年的供给位元成长率约17.7％。
美光A3厂周边新增的空间主要是辅助该厂往下一代制程做转换时，避免有产能减损（wafer loss），因此明年总产能变化并不大，主要仰赖1z纳米及最新1α纳米带来的位元增加，预计明年的供给位元成长率为16.3％。至于南亚科及华邦电明年新厂还未有明显产能开出，供给成长幅度十分有限。
由需求面来看，DRAM消耗量占比最高的智能手机、服务器、笔电市场，明年生产或出货量要出现大幅成长的难度大增。除此之外，各大产业持续受零组件缺料所苦，终端产品组装受限将使相对身为长料的DRAM需求量下滑。集邦推估2022年DRAM需求端的位元成长率预估仅16.3％，将低于供给端成长的速度。
集邦表示，2021年在采购端积极拉货的情况下，对于DRAM原厂是出货表现相当亮眼的一年，不过随着第四季DRAM价格的反转向下，延续至2022年上半年的跌幅仍有扩大可能，2022年全年的DRAM均价恐较今年衰退约15～20％，而原厂的出货成长幅度预估也将落在相同区间，意即整体DRAM产业出货的成长将受到报价下滑所抵销，故2022年DRAM产值约略与今年持平。

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