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三星宣布:14纳米EUV DDR5 DRAM正式量产

OFweek维科网
2021-10-13 14:13
关键字: DDR DRAM 三星
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10月12日消息,三星宣布开始量产基于极紫外光(EUV)技术的14nm DRAM。继去年3月三星推出首款EUV DRAM后,又将EUV层数增加至5层,为其DDR5解决方案提供当下更为优质、先进的DRAM工艺。


三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术主管Jooyoung Lee表示,“通过开拓关键的图案(key patterning)技术,三星活跃全球DRAM市场近三十年。如今,三星正通过多层EUV技术,树立了一座新的技术里程碑,实现了更加微型化的14nm工艺,而这也是传统氟化氩(ArF)工艺无法做到的。在此基础上,三星将继续提供极具差异化的内存解决方案,充分满足5G、人工智能和元宇宙等数据驱动的时代对更高性能和更大容量的需求。”


随着DRAM工艺不断缩小至10nm范围,EUV技术变得越来越重要,因为它能提升图案准确性,从而获得更高性能和更大产量。通过在14nm DRAM中应用5个EUV层,三星实现了自身最高的单位容量,同时,整体晶圆生产率提升了约20%。此外,与上一代DRAM工艺相比,14nm工艺可帮助降低近20%的功耗。


根据最新DDR5标准,三星的14nm DRAM将有助于释放出之前产品所未有的速度:高达7.2Gbps,比DDR4的3.2Gbps快两倍多。


三星计划扩展其14nm DDR5产品组合,以支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用。另外,三星预计将其14nm DRAM芯片容量提升至24Gb,以更好满足全球IT系统快速增长的数据需求。


值得注意的是,今年1月,美光宣布10nm级第4代(1a)DRAM量产成功,SK海力士也于7月开始量产应用EUV的1a DRAM。虽然他们没有指明具体数字,但业界将SK海力士和美光都视为14nm级DRAM。美光没有应用EUV,而SK海力士只在一层应用了EUV。


三星电子虽然量产有点晚,但通过拉大技术差距,在未来的DRAM竞争中获得了优势。特别是基于14nm工艺和高成熟度EUV工艺技术,实现差异化性能和稳定良率,是引领DDR5DRAM普及的战略。




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