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[导读]本文就STM32L053芯片的FLASH编程做个简单演示并做些提醒,以供有需要的人参考。

来源 | 茶花MCU

这里就STM32L053芯片的FLASH编程做个简单演示并做些提醒,以供有需要的人参考。 一般来讲,FLASH编程主要包括擦除、代码编程、Option字修改操作,关于Option编程下面不做介绍。
STM32L0芯片的擦除除了支持全片擦除外,再就是支持页擦除,每页的大小为128Bytes32个字。编程可以按字或按半页【64Bytes】编程。

单页擦除、单字编程以及半页编程的时间都是一样的,大概3.2ms左右,这点在芯片数据手册上也明确出来了。



这里提醒两点:第一点,在做擦除或编程时,要注意地址对齐的问题,页擦除时地址要128字节对齐,字编程注意4字节对齐,半页编程时注意64字节对齐;还有一点就是做半页编程时,半页编程的执行代码要放到RAM里进行,这点手册也强调了。

下面演示字编程、页编程、页擦除的操作。

这里我先以字编程模式写5个字,然后以半页编程模式对5个半页进行FLASH编程,并记录二者所花的时间,看看字编程时间跟半页编程的是否一致。

另外,在完成5个半页编程之后,又进行了页擦除操作,擦除刚才已编程的5个半页中的1页,即最后应只剩下3个半页的内容【注:对于STM32L0系列芯片,内部FLASH被擦除后内容为全0】。

下面代码截图是基于STM32Cube库来组织的,主要涉及到字编程半页编程页擦除三个操作,对应着绿色下划线的3个库函数。



其中,半页编程的执行代码需配置到RAM里去运行。

另外,Period1Period2分别来存放写5个字和5个半页的编程时间,并放在指定的FLASH位置。

编译运行后我们可以看到如下结果:



上面截图是经过运行后芯片内部的部分FLASH空间的内容。5个红色方框围住的数据乃5个字编程后的结果,蓝色方框内的数据乃5次半页编程后的结果,但最终只看到3个半页的编程内容,那是因为后面两个半页的内容经页擦除操作后而消失了。

用来统计编程时间的定时器的计数频率为1MHz,显然Period1Period2基本是相等的,将它们再除以5后所得编程时间都是3.3ms的样子。显而易见,进行批量代码编程时采用半页编程更高效。

前面说了做半页编程时其执行代码需放到RAM运行,该代码在STM32cube库的这个文件stm32l0xx_hal_flash_ramfunc.c里面。实现该操作对于不同的IDE在处理上稍有差异。这里基于ARM MDK进行简单配置,划分点RAM出来给它用。



关于STM32L0系列FLASH编程的演示就介绍到这里,愿能帮到有需之人以节省些时间和精力。
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